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周婧博;
天津市科学技术信息研究所 ,天津300074;
极紫外光刻; 专利分析; IC行业;
机译:基于专利分析的转基因大豆技术发展现状研究
机译:激光生产的基于等离子体的极紫外光源技术,用于大批量制造极紫外光刻
机译:基于专利分析的光伏面板清洗设备发展现状研究
机译:强烈的毛细管放电等离子体极紫外光源,用于极紫外光刻和其他极紫外成像应用。
机译:迈向极紫外光刻的高精度反射计
机译:中国抗癌药品专利现状研究 - 基于专利分析
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。
机译:用于极紫外光刻的反射装置,应用于其的极紫外光刻掩模,投影光学系统和光刻设备
机译:基于统计专利分析的技术分层图专利分析方法
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