一种低损耗高耦合片上变压器的设计

摘要

采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种低损耗高耦合的单圈倒装交错层叠结构的片上变压器,这种结构减小了初级线圈与次级线圈间的垂直距离,提高了线圈间的耦合度及线圈的品质因数Q,从而提高了变压器的传输效率.同时对地面层进行了改进,在100 GHz时,耦合因子k从0.81增大到0.95,并探讨了线圈直径d和宽度w对变压器性能的影响.该变压器在89 GHz时Q达到最大值18.5,在30～ 150 GHz频率范围内耦合因子k为0.65 ～1,最大可用增益Gmax接近于1,该变压器可应用于毫米波集成电路设计中改善电路性能.