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赵巍胜12; 王昭昊12; 彭守仲12; 王乐知12; 常亮12; 张有光12;
[1]北京航空航天大学、费尔北京研究院,北京100191;
[2]北京航空航天大学、电子信息工程学院,北京100191;
垂直磁各向异性; 自旋转移矩; 自旋轨道矩; 双界面磁隧道结; 磁性随机存储器; 低功耗; 非易失;
机译:AIST将非易失性磁性存储器(STT-MRAM)的存储稳定性提高了一倍,并加速了大容量STT-MRAM的实际开发
机译:自旋电子存储器在节能方面的最新趋势:从STT-MRAM到电压控制自旋电子存储器
机译:基于STT-MRAM的存储器平台中区域有效计算的设计
机译:DDR3 STT-MRAM存储器的最佳设计
机译:改进相变存储器(PCM)和自旋扭矩传递磁性RAM(STT-MRAM)作为下一代存储器:电路角度。
机译:低VDD场景PVT-AWARE STT-MRAM传感电路的研究
机译:改进相变存储器(PCM)和自旋扭矩传递磁性RAM(STT-MRAM)作为下一代存储器:电路角度
机译:在NUma(非统一存储器访问)多处理器上实现相干存储器抽象:使用pLaTINUm(用于调查非均匀存储器的平台)的经验。修订。
机译:具有自旋扭矩传递磁性随机存取存储器(STT-MRAM)的集成电路的制造方法,该存储器包括沿STT-MRAM的磁性隧道结的侧壁形成的钝化层
机译:STT-MRAM STT-MRAM STT-MRAM失败的旁路电路和STT-MRAM器件具有相同的功能
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