（Cu＋N）共掺杂锐钛矿相TiO2（001）面和（101）面电子结构的第一性原理计算

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了3d过渡元素Cu掺杂及（Cu＋N）共掺杂于锐钛矿相TiO2（001）面和（101）面的电子性质,给出了不同掺杂形式形成能、能带结构、态密度及电荷分布的变化,得出了（Cu＋N）共掺杂时最稳定的结构.通过计算Cu表层吸附、表层和次表层替位掺杂以及晶体间隙掺杂的形成能,发现Cu掺杂更易发生在TiO2（001）面的空穴位,此时N偏向于在水平方向上的O位发生替位掺杂.计算结果表明（Cu＋N）共掺杂后Cu-3d与O-2p,N-2p及Ti-3d轨道上的电子发生p-d杂化效应,引发O-2p,N-2p态发生劈裂使得价带范围扩大,Ti-3d态下移且发生劈裂形成新的导带底,并且禁带中产生了新的电子态,禁带宽度减小,同时（Cu＋N）施主受主杂质对的出现可以有效防止电子空穴对的复合,提高了TiO2的光催化活性.