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蔡义明;
广西大学电气工程学院 广西南宁530004;
电力电子开关; 氮化镓(GaN); 电气参数; GS66502B; GS61004B;
机译:氮化镓氮化镓,碳化硅SiC和明天的氮化镓氮化镓,碳化硅SiC和未来的车辆全文
机译:混合β-镓氧化镓氮化镓氮化镓纳米颗粒的合成及氮化镓粉末
机译:夏普,额定电压600 V镓氮化镓电源装置进入电力器件市场有助于节能电气产品
机译:基于氮化镓的电力电子开关的通态电阻评估
机译:用于发光二极管的氮化铟镓/氮化镓和氮化铝镓/氮化镓结构的微观结构和成分研究。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:镓弧蒸发系统氮化镓气相氮化物生长氮化镓的研究。
机译:氮化镓/氮化铝镓半导体器件及制造氮化镓/氮化铝镓半导体器件的方法
机译:氮化镓3维(3D)结构,氮化镓3维(3D)阵列,使用具有平面表面的3维氮化镓柱结构和发光表面(LED)制造发光二极管(LED)的方法具有平面的三维氮化镓柱结构
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
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