Resistance; HEMTs; Gallium nitride; MODFETs; Logic gates; Power electronics;
机译:基于氮化镓的功率开关,用于下一代功率转换
机译:通过使用简单的n型电极图案改善大功率氮化铟镓/氮化镓基垂直发光二极管的性能
机译:大功率电子应用中基于氮化镓的垂直晶体管的现状和范围
机译:基于氮化镓电力电子开关的导通电阻评价
机译:基于分析物理的氮化铝镓/氮化镓HFET大信号模型和具有非线性源电阻的非线性分析。
机译:硅镓氮化物缝隙波导结构中基于多模干涉的光子1×4功率分配器
机译:氮化镓的表征与建模\ ud 功率半导体器件动态通态 抵抗性