光控晶闸管正向过电压自保护机理研究

摘要

cqvip:介绍了新型光控晶闸管(LTT)内部集成的一项非常重要的电气功能,即正向过电压自保护功能。通过在LTT光敏区内集成转折二极管(BOD),实现LTT正向过电压自保护功能。如果集成BOD转折电压太高,则不能有效保护晶闸管;如果集成BOD转折电压太低,则达不到LTT设计的阻断电压要求。这里通过计算机仿真技术和工艺实验验证的方法,成功揭示了LTT内部集成的正向过电压结构机理与硅单晶材料电阻率、PN结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计和制造了LTT内部的转折电压,成功研制了5英寸3125 A/7600 V特高压LTT,并成功应用于"云南-广东±800 kV/5000 MW"特高压直流输电工程。