基于GaN的高频Boost PFC整流器设计

摘要

便携电源设备小型化是人们一直追求的目标,最直接的方法便是通过提高系统开关频率以减小无源器件的体积,进而减小系统体积.氮化镓(GaN)开关器件的商业化应用给实现兆赫兹级系统频率提供了可能.在研究商用Boost功率因数校正(PFC)控制器原理的基础上,对兆赫兹级环境下的电流临界导通模式(BCM) Boost PFC控制器提出了优化建议和方案.最终,通过Pspice仿真验证了系统设计的正确性,并采用GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)及SiC二极管设计了一款200 W的兆赫兹PFC原型机.