用于IGBT薄片技术的激光热退火深度熔化激活

摘要

本文介绍一种激活IGBT或者续流二极管背发射极的新方法。为了用一次单激光冲击激活1．5cm×1．5cm的区域，采用了大功率紫外激光器。它可以改进600V-1200V范围IGBT和二极管薄片技术的制造工艺。薄片工艺是进一步缩小芯片厚度，降低通态压降和开关损耗的重要步骤。