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李思奇; 郭彝; 蒋晓华;
清华大学,北京,100084;
金属氧化物半导体器件; 反向恢复电流; 动态死区控制;
机译:具有内置沟道二极管以增强反向恢复性能的功率MOSFET的仿真研究
机译:嵌入超软反向恢复体二极管的新型超结MOSFET的仿真研究
机译:具有双内置肖特基二极管的超结MOSFET用于快速反向恢复:数值模拟研究
机译:抑制动态雪崩期间的沟道传导,以提高高密度功率MOSFET的坚固性和反向恢复的柔软度
机译:研究由高迁移率半导体制成的MOSFET的反向电容和驱动电流。
机译:具有超越1D限制的RSP-BV折衷和卓越的反向恢复特性的新型功率MOSFET
机译:具有超越1D-LIMIT RSP-BV权衡和卓越的反向恢复特性的新型电源MOSFET
机译:mOsFETs动态特性的紧凑建模
机译:减少降压调节器中的死区时间和反向恢复损耗的方法和电路
机译:通过最大程度地减少P体电荷来进行高压MOSFET二极管反向恢复
机译:通过最小化P体电荷实现高压MOSFET二极管的反向恢复
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