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X波段锁相DRO的研制

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摘要

利用GaAs FET作为振荡管来设计实现一种可以利用在X波段的低噪声介质谐振器振荡器(DRO).该振荡器采用反馈型振荡,机械调谐范围宽,输出功率大,频率稳定度高,输出相噪好.在偏离主频1MHz处相噪可达-130dBc/Hz.

著录项

来源
《大众科技》 |2008年第6期|26-27|共2页
作者
谢廷显; 张玉兴; 彭莉莉;
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作者单位

电子科技大学电子工程学院,四川,成都,610054;

电子科技大学电子工程学院,四川,成都,610054;

深圳通创通信公司,广东,深圳,518001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类振荡技术、振荡器;
关键词
X波段; 振荡器; 相噪; 反馈;

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