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李民; 寒冰;
不详;
氟化硅; 等离子体 ; SRIE; 氯化硅;
机译:气体的pVT秒维里系数B(T),粘度eta(T)和自扩散Rh D(T):BF3,CF4,SiF4,CCl4,SiCl4,SF6,MoF6,WF6,UF6,C(CH3 )(4),以及通过各向同性的温度相关电位确定的Si(CH3)(4)[综述]
机译:在SiCl4 / Cl-2等离子体中清洁等离子体反应器壁上的氟化铝涂层
机译:超低k蚀刻工艺中SIF4等离子体物种与样品特性的关系
机译:SiF4等离子体掺杂(PLAD)的特性
机译:探索气相等离子体化学和等离子体表面相互作用:等离子体辅助催化进展
机译:SiCl4流量对SiCl4-BCl3-NH3-H2-Ar环境中SiBN沉积动力学的影响
机译:通过SiCl4等离子体进行的等离子体功能化以保留有机化合物通过SiCl4等离子体进行的玻璃状表面功能化旨在保留有机化合物
机译:N2F4,NF3,NF(X),siF4,HNCO和NCOat室温对NF(a1 Delta)的猝灭速率常数
机译:SiF4和高纯度SiF4气体的精制方法
机译:通过在SiCl4和Ar中产生的等离子体中蚀刻具有GaAs顶层和InP下层的半导体本体来制造光电子半导体器件的方法
机译:一种制备光电子半导体器件的方法,其中刻蚀具有gaas的最上层和包含在sicl4和ar中产生的等离子体的下层inp层的半导体本体
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