芙蓉葵的离体培养与植株再生

摘要

1植物名称 芙蓉葵（Hibiscus moscheutos Linn．）。 2材料类别 带节茎段。 3培养条件 以MS为基本培养基。（1）芽诱导培养基：MS＋6．BA2．0mg·L^-1（单位下同）＋NAA0．1；（2）增殖培养基：MS＋6．BA1．0＋NAA0．05；（3）生根培养基：1／2MS＋NAA1．0。上述培养基均添加30g．L^-1蔗糖、6g·L^-1琼脂，pH5．8。培养温度（28±1）℃，光照时间为16h·d^-1，光照强度为27—36μmol·m^-2．s^-1。