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薄膜结构对Si/SiO2 Ⅰ-Ⅴ特性的影响

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用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si/SiO2纳米薄膜,测定了薄膜的I-V特性. 实验结果分析表明,薄膜结构是影响其I-V特性的主要因素.

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来源
《物理实验》 |2009年第3期|10-13|共4页
作者
马自军; 马书懿;
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作者单位

甘肃农业大学,理学院,甘肃,兰州,730070;

西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;

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正文语种 chi
中图分类 O484.42;
关键词
射频磁控溅射; Si/SiO2纳米薄膜; I-V特性;

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