ZnS:Zn,Pb薄膜的制备及其发光性能研究

摘要

用电子束蒸发的方法制备了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜,分别经400℃、600℃退火处理。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等,表征了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明,随着退火温度的升高,薄膜的结构程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能。因此,退火处理是提高ZnS:Zn,Pb荧光薄膜发光性能的有效方法之一。