射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响

摘要

采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜。采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构。采用分光光度计测量了SiC薄膜的发光性能。发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现,有利于β-SiC的形成,同时增加SiC薄膜光致发光(PL)强度。