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吴荣汉;
中国科学院半导体研究所 北京;
机译:电物理和光致发光的研究超晶格{LT-砷化镓/砷化镓为Si},通过分子束外延在GaAs衬底上生长具有(100)取向和(111)A
机译:应变超晶格砷化镓/铝砷化镓中重空穴和激光空穴态的混合以及发光化
机译:07;基于的AlGaAs /砷化镓/砷化铟镓-geterostruκtur在波长905纳米09全光调制器单元
机译:砷化铟/镓化镓超晶格屏障的热光伏电池的模拟
机译:一,拉曼散射和X射线衍射研究对砷化镓-砷化铝超晶格中局限的LO和折叠的LA声子的退火作用。二。皮秒光散射研究砷化镓/铝(x)镓(1-x)砷化物多量子阱结构中的弛豫和隧穿
机译:砷化镓量子阱中的负纵向磁阻
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:砷化镓 - 砷化铝镓异质结和超晶格的深能级瞬态光谱研究
机译:具有磷化镓和超晶格中间层的硅衬底上的外延砷化镓半导体
机译:使用应变层超晶格制造外延砷化镓镓半导体晶片的方法
机译:在硅衬底上生长的砷化镓超晶格晶体及其生长方法
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