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潘炜; 张晓霞;
西南交通大学计算机与通信工程学院;
异质结; 量子阱; 复电容率; 超晶格; 半导体;
机译:出版商注意:使用超晶格虚拟基板的HGTE量子阱的带隙的应变工程[物理。 rev. lett。 117,086403(2016)]
机译:出版商注:“通过使用不同铟的InGaN / AIGaN超薄超晶格势垒来减少InGaN量子阱中的内部极化场” [J.应用物理110,123108(2011)]
机译:新型量子阱长波长(λ= 10μm)探测器和新型超晶格传输物理学
机译:在CDTE-CD1-XMNXTE量子阱和通过脉冲激光蒸发和外延生长的CDTE-CD1-XMNXTE量子阱和超晶格结构的原位单波长椭圆测量测量
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:二维横向量子阱超晶格的位错驱动生长
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:高能电子注入半导体超晶格,量子阱和量子线。
机译:具有量子阱和超晶格的基于III族氮化物的发光二极管结构,基于III族氮化物的量子阱结构和基于III族氮化物的超晶格结构
机译:具有量子阱和超晶格的基于III类氮化物的发光二极管结构,基于III类氮化物的量子阱结构和基于III类氮化物的超晶格结构
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