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倪牮; 张建军; 王先宝; 李林娜; 侯国付; 孙建; 耿新华; 赵颖;
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;
天津300071;
非晶硅(a-Si)太阳电池; 低温沉积; 反应气压;
机译:高沉积速率纳米晶和非晶硅薄膜产生通过表面波等离子体源
机译:在低温(300℃)化学气相沉积工艺中采用氢等离子体和硅自由基的新型双注入系统沉积微晶/非晶硅薄膜
机译:低温催化化学气相沉积(<150℃)和激光晶化的非晶硅膜沉积在多晶硅薄膜晶体管中的应用
机译:d.c.制备的高沉积速率的薄膜氢化非晶硅。氦稀释的硅烷的等离子体增强化学气相沉积
机译:使用ECR-PECVD的氢化非晶硅锗薄膜和器件的高生长速率沉积。
机译:通过PECVD在镍金属化多孔硅上沉积的非晶硅薄膜的结晶
机译:使用ECR-PECVD的氢化非晶硅锗薄膜和器件的高生长速率沉积
机译:以高沉积速率制备的非晶硅太阳能电池。年度分包合同报告,1989年7月1日至1990年6月30日。
机译:在高沉积速率下通过化学气相沉积将非晶硅薄膜沉积到大面积玻璃基板上的方法
机译:沉积高质量的器件,低氢含量,高沉积速率的氢化非晶硅
机译:使用热丝灯丝技术以高沉积速率沉积器件质量,低氢含量,氢化非晶硅,并提高稳定性
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