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冯雷; 韩军; 邢艳辉; 邓旭光; 汪加兴; 范亚明; 张宝顺;
北京工业大学电子信息与控制工程学院;
北京100124;
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
江苏苏州215123;
AlGaN; 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD); 相分离; 表面形貌; Al组分;
机译:AlN中间层对MOVPE生长AlGaN中Al组分掺入效率的影响
机译:晶格结构改变的影响Al组分对AlGaN材料的光学性质
机译:不同Al组分对Algan光电阴极活性层的影响的比较研究
机译:MOCVD生长的高Al组分AlGaN薄膜的数值模拟
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:演示Al:ZnO作为近红外超材料的等离子体组分
机译:利用FAS技术开发原位合成的多组分增强Al–4.5%Cu–TiC金属基复合材料–工艺参数的优化
机译:组分材料体积分数和层间粘结强度对多层al 6090-25 vol%siC和al 5182层压板断裂韧性的影响
机译:记录多组分材料优化分析程序的多组分材料,优化分析器和存储介质的设计方法
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