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王新中; 于广辉; 李世国;
深圳信息职业技术学院;
广东深圳518029;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
上海200050;
GaN; 阳极Al2O3(AAO); 纳米点阵; 氢化物气相外延(HVPE);
机译:Zn衬底上PbS量子点修饰的ZnO纳米棒阵列的制备及其可见光催化应用
机译:在(0 0 l)Si衬底上制备2D硅化钴纳米点的有序阵列
机译:具有增强的光催化性能的水热制备FTO衬底上的WO3纳米棒阵列和ZnO纳米片阵列复合结构
机译:随着量子点作为在蓝宝石衬底上生长的缓冲层,通过分子束外延在蓝宝石衬底上改善GaN膜的晶体质量
机译:MBE在纳米图案化的衬底上生长高度有序的砷化铟/砷化镓和砷化铟镓/砷化镓量子点。
机译:通过无掩模化学刻蚀制备的涂有银纳米颗粒的蓝宝石图案衬底上的GaN基发光二极管的性能
机译:在通过无掩模化学蚀刻制备的银纳米颗粒涂覆的图案化蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管的特性
机译:FY2016体积GaN衬底上垂直氮化镓功率肖特基二极管的制备与表征。
机译:制备gan纳米线和iii-n族纳米线阵列的方法以及由此形成的衬底
机译:纳米线的制造方法,III族氮化物纳米线阵列和GaN衬底结构
机译:制备纳米级沟槽的方法,涉及在衬底上制备纳米线,其中衬底和纳米线上涂覆有材料层,并且在牺牲层上施加一定厚度的光刻胶层
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