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徐寅; 杨保和; 李翠平;
天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室;
天津300384;
ZnO薄膜; Ti缓冲层; 声表面波(SAW)器件; 缺陷分析;
机译:FBAR器件在Pt / Ti / SiN_x / Si衬底上射频磁控溅射ZnO薄膜的沉积和结构特性
机译:通过L-MBE在(100)Si,GaAs和InP单晶晶片上制备ZnO薄膜的新型纳米体系结构,在纳米机器人(机械加工)器件制造中具有重要价值
机译:Ti(Opr〜i)_4的CVD法制备光降解水的TiO_2薄膜包覆Si器件
机译:溶胶-凝胶法制备n-ZnO / SiO_2 / p-Si与Pd / n-ZnO / SiO_2 / p-Si薄膜H_2传感器的比较研究
机译:取向ZnO压电薄膜的制备与评价及其在声表面波器件中的应用
机译:Si(111)衬底上ZnO / GaN异质结构纳米柱状薄膜的制备及性能
机译:p-si上ZnO薄膜的制备及p-si / n-ZnO的I-V特性
机译:同时TEm薄膜制备和多层光伏器件的sIms分析
机译:P型半导体薄膜和ZnO基纳米棒的异质结结构,其制造方法和装置,该方法适用于在室温和高温下随温度变化而容易地使具有异质结结构的器件嵌入室温
机译:用于器件制造的Si上低缺陷密度的III-V的制备
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