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许留洋; 高欣; 袁绪泽; 夏晓宇; 曹曦文; 乔忠良; 薄报学;
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;
吉林长春130022;
GaAs; COD; 光致发光(PL); 钝化;
机译:硅衬底上生长的氢等离子体钝化的AlGaAs / GaAs垂直腔面发射激光器结构中增强的自发发射
机译:在GaAs(110)基板上制造的旋转表面发射半导体激光器的旋转表面的旋振圆极化振荡
机译:使用化学和等离子体方法的GaAs半导体激光器的刻面钝化
机译:基于n-GaAs的半导体/液体结光电化学电池的光腐蚀和钝化研究。
机译:垂直腔表面发射半导体激光器平台上的集成等离子体电路
机译:(MBE在775B表面衬底上生长的GaAs和InGaAs自组装量子线在表面发射激光器中的应用)
机译:具有由半导体激光器产生的等离子体层(表面或掩埋)的半导体介电波导的毫米波应用。
机译:在表面发光激光器阵列和表面发光激光器模块的生产上空的GaAs半导体衬底上,以及使用表面发光激光器的表面发光半导体激光器
机译:反应性等离子体蚀刻后的半导体表面钝化-涉及使用钝化混合物进行额外的等离子体处理,以取代吸附在表面上的反应性化合物
机译:用于大功率太阳能电池的局部异质接触产生装置,具有通过等离子体蚀刻形成的半导体材料的表面钝化层,其中箔用作异质接触的分离工艺的掩模
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