近化学计量比LiTaO_3反转畴运动特性研究

摘要

通过添加助熔剂,生长了掺Mg近化学计量比LiTaO3(SLT)晶体,晶体的居里温度为684±1℃。对厚度1.8 mm的晶片进行外加单脉冲电场室温极化,得到了完全反转的畴结构。利用化学腐蚀的方法,观察极化过程中反转畴成核、运动及合并的过程。结果表明,室温极化时,反转畴的运动是非匀速的,实现完全反转至多需要50 s,极化初始阶段反转畴的平均横向扩展速率为0.012 mm/s。