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硅基周期槽结构的刻蚀工艺研究

             

摘要

针对微电子机械系统(MEMS)湿法槽刻蚀技术,基于硅材料各向异性腐蚀特性研究了硅基周期槽的湿法刻蚀工艺,得出了优化的光刻参数.通过对比实验详细分析了搅拌在腐蚀过程中起到的重要作用,实验结果显示,搅拌可以增加腐蚀溶液的流通性,使硅表面不易产生气泡形成“伪掩膜”阻碍反应的进行,从而制备出表面光滑平整的周期槽结构.同时,在搅拌的条件下对槽深和腐蚀时间的关系也做出了相应的分析.为硅微机械加工技术的进一步研究提供了参考.

著录项

  • 来源
    《光学仪器 》 |2016年第3期|272-277|共6页
  • 作者

    魏玉明; 陈长英; 陈麟;

  • 作者单位

    上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室,上海200093;

    上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;

    上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室,上海200093;

    上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;

    上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室,上海200093;

    上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 光电子技术的应用 ;
  • 关键词

    微电子机械系统(MEMS); 各向异性 ; 刻蚀 ; 搅拌 ; 周期槽;

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