硅中BF2＋注入束流效应的掠角背散射沟道分析

摘要

本文用掠角背散射沟道分析技术研究了能量为147keV,剂量为2×10^(15)/cm^2,束流为20—140μA(束流强度0.41—2.86μA/cm^2)的BF_2^+注入后的Si样品,分析了离子注入损伤的深度分布和移位原子浓度的变化,发现了用常规背散射沟道分析技术所不能观测到的表层损伤的束流效应细节,并对这些现象进行了讨论。