正电子湮没诱发俄歇电子能谱装置的物理设计

摘要

与X射线、高能电子或中子激发俄歇电子能谱相比,正电子湮没诱发俄歇电子能谱(PAES)具有极表面选择性、高信噪比、低辐照损伤等特点.本文介绍北京慢正电子强束流的PAEs装置,采用4×10-3 T磁场对正电子和俄歇电子进行输运,强弱磁场梯度对俄歇电子进行平行化,法拉第筒对俄歇电子的能量进行调制,使得整个系统的能量分辨优于2 eV.