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Zn离子注入增强TiO2纳米管光电效应

     

摘要

用阳极氧化法在钛金属表面制备出致密有序的TiO2纳米管阵列,用MEVVA源离子束技术在其上进行金属Zn离子的掺杂注入.用电镜观察离子束轰击对TiO2纳米管阵列结构的影响.研究了掺杂前后TiO2纳米管阵列在紫外光和可见光区域的光电效应.用全势线性缀加平面波(FP-LAPW)法讨论了TiO2纳米管对可见光响应的机理.

著录项

  • 来源
    《核技术》|2010年第12期|903-907|共5页
  • 作者单位

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;

    北京市辐射中心,北京,100875;

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;

    北京市辐射中心,北京,100875;

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;

    北京市辐射中心,北京,100875;

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;

    北京市辐射中心,北京,100875;

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;

    北京市辐射中心,北京,100875;

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875;

    北京市辐射中心,北京,100875;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 应用物理学;
  • 关键词

    TiO2纳米管; Zn离子注入; 光电效应;

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