不同根区温度对嫁接黄瓜生长和光合参数的影响

摘要

以云南黑籽南瓜和白籽南瓜为砧木,“津优35号”为接穗嫁接的黄瓜为试材,研究其在适温(CK:18～20℃)、亚适温(13～15℃)、低温(8～10℃)的根区温度条件下对嫁接黄瓜生长发育和光合指标的影响.结果表明:与CK相比,低温和亚适温对黄瓜的生长产生了明显的抑制作用,株高、茎粗、叶面积、叶片数、地上部干质量和全株干质量明显降低,而根冠比和地下部干质量却有所升高,其中低温条件下的抑制效果更为显著;低温和亚适温降低了嫁接黄瓜的SPAD值、净光合速率、蒸腾速率、胞间CO2浓度和气孔导度;而且不同的嫁接苗之间也存在差异,“黑籽”南瓜砧木在低温逆境的表现上要优于“白籽”南瓜砧木.