专利信息

摘要

专利名称:一种LED芯片制备方法专利申请号:2020106087396公布号:CN111710761A申请日:2020.06.29公开日:2020.09.25申请人:湘能华磊光电股份有限公司本发明提供了一种LED芯片制备方法。包括:在衬底上生长完整LED结构外延片;在第二半导体层上制备电流扩展层,通过光刻工艺和腐蚀工艺制备电流扩展层图形;依次刻蚀电流扩展层、第二半导体层、多量子阱层和第一半导体层;采用腐蚀工艺对电流扩展层边缘进行腐蚀,使第二半导体层边缘超出电流扩展层边缘;沉积绝缘层;通过光刻工艺制备电极图形,并通过腐蚀工艺制备电极孔;制备P电极和N电极,制备出完整LED芯片。