ZnO及Ag/ZnO纳米薄膜的制备及电学性质研究

摘要

利用磁控溅射技术制备了ZnO纳米薄膜(ZnO NFm)和Ag复合ZnO纳米薄膜(Ag/ZnO NFm),并对其表面形貌、微观结构、组分和电学性能进行了研究.结果表明,Ag/ZnO纳米薄膜中大多数Ag以Ag_(x)O_(y)或合金的形式存在,由于Ag替位ZnO中的Zn^(2+)造成了衍射角的偏移.同时,ZnO纳米薄膜、Ag/ZnO纳米薄膜呈现出沿C轴择优生长特点.Ag的复合使得ZnO纳米薄膜的霍尔迁移率由160 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1)增加至673 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1)、电阻率由2.329×10^(-4)Ω·cm减小为1.018×10^(-4)Ω·cm、载流子浓度由1.68×10^(20)降低为+9.12×10^(19) cm^(-3).可见,Ag/ZnO复合纳米薄膜在构建多功能电学器件领域中具有很好的应用前景.