150keV电子辐照下SiO2玻璃的性能及其缺陷演化规律

摘要

研究150 keV电子辐照下SiO2玻璃的性能及其缺陷演化规律.光学和电学性能分析结果表明,随着辐照注量的增大SiO2玻璃的光谱透过率和平均电阻逐渐下降.电子顺磁共振谱和红外光谱分析结果发现,150 keV电子辐照下SiO2玻璃内部产生E'-center类型的缺陷,这是150 keV电子辐照下SiO2玻璃光学性能发生退化的主要原因.