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林拉1; 陈康烨1; 何杰1; 张国瑞1; 顾伟霞1; 马锡英1;
[1]苏州科技学院数理学院,苏州;
纳米硫化钼; 退火; 化学气相沉积; 形貌分析; 光学特性; 电学特性;
机译:退火温度对MoS2纳米薄膜特性影响研究
机译:UIO-66-NH2金属有机框架,具有嵌入式MOS2纳米薄膜,用于可见光介导的H-2和O-2演化
机译:对光热癌治疗具有期望降解性的MOS2纳米薄膜的单壶合成(Vol 9,PG 17347,2017)
机译:退火温度对旋涂法制备的ITO玻璃纳米薄膜钛酸铅介电性能的影响
机译:基于MoS2纳米带和片的新型一维和二维系统的热电特性。
机译:氧化铝衬底上低温脉冲电子沉积技术获得的In2O3纳米薄膜的气敏特性
机译:退火温度对MOS2纳米薄膜性能的影响
机译:退火温度,时间的去应力退火蒙乃尔合金金属板块效应在后1/2英寸的物理特性温度。蒙乃尔合金金属板
机译:变更影响研究支持程序,变更影响研究支持设备和变更影响研究支持方法
机译:变更影响研究支持变更影响研究支持计划以及变更影响研究支持设备
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