金属和SiC复合薄膜的应力及应力梯度控制技术

摘要

等离子增强化学气相沉积(PECVD)SiC谐振器的制作面临导电和应力及应力梯度控制问题.为了解决导电问题,采用金属W作为导电材料,它耐HF腐蚀,可简化工艺.使W薄膜应力最小的溅射条件为:Ar压力2.0 Pa,功率300 W,反溅射工艺;为了解决应力梯度问题,采用双层金属结构、退火和离子注入3种手段.在离子注入电压120 keV、剂量1.6×1016cm-2、不退火的条件下,可以得到应力梯度最小、结构完好的PECVD SiC谐振器.