六角晶格多孔Si纳米阵列的制备研究

摘要

采用AAO模板7LAr＋磨技术在Si基片上合成了大面积规则的六角纳米孔阵列，阵列六角晶格尺寸及纳米孔深度可由H3PO4扩孔时间、氧化电压、离子磨时间等工艺参数精确控制。孔间距、孔直径与工艺参数的关系为ID=15．8＋2．17V和蹄0．905V＋0．452TH-20，其中V为氧化电压，TH为H3PO4扩孔时间；孔深度则可被控制为：Y=27．59T-5．44X＋21．76，X为AAO模板长径比，T为离子磨时间。该制备方法将可广泛应用于高效荧光发光器件、太阳能光伏器件、气体传感器件和THz受激辐射等光电子器件。