β-FeSi2/Si异质结的伏安特性分析

摘要

用磁控溅射方法制备β-FeSi2/Si异质结，在分析其伏安特性的基础上探索其是否适合制备红外探测器，XRD、SEM分析表明，该方法能得到纯净、表面平整的β-FeSi2/Si薄膜；在室温下异质结的I—V特性具有很好的整流特性，整流效率约为Idirect／Ireverse～102，分流电阻约为38．4kΩ，零偏压下的电流响应率约为26μA／W。推算结果表明，该异质结的红外探测率约为1．479×109cm·√Hz/W，适合用于制备红外探测器。