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蔡磊; 马泽贤; 刘新宽; 朱建国; 雷雪松;
盛利维尔(中国)新材料技术有限公司 江苏常州213200;
上海理工大学材料科学与工程学院 上海200093;
镀镍; 氨基磺酸盐; 杂质掺杂; 双阳极-阴极弯曲; 内应力;
机译:镀层内应力对Ni-W合金镀层膜裂纹的影响
机译:内应力作用下生长的CZ硅晶体中点缺陷的浓度:杂质掺杂和热应力的影响
机译:镀层内应力的测量(6)-内应力测量方法简介(第2部分)
机译:热处理条件和杂质对热解掺杂的热处理条件和杂质掺杂的影响
机译:银镀层和铁和钴的掺杂对la2nio4透氧性的影响。
机译:杂质掺杂对锰铅矿型结构锰掺杂铝酸盐植物发光性能的影响
机译:杂质与杂质之间磁相互作用的影响 杂质释放的自旋在掺杂的Haldane链中的磁性 化合物pbNi $ {} _ {2-x $ {a} $ {} _ {x} $ V $ {} _ {2} $ O $ {} _ {8} $(a = mg,Co)
机译:掺杂和杂质重分布对快速热处理Wsi(2)形成的影响
机译:形成可控制掺杂剂分布的扩散层-使用掺杂的玻璃扩散源并选择气体环境来影响杂质通过玻璃的扩散速率
机译:一种在SiC中引入杂质掺杂剂的方法,由该方法形成的半导体器件以及使用高掺杂非晶层作为掺杂剂扩散到SiC中的源
机译:具有掺杂有杂质的多晶硅层中的具有杂质扩散防止层的半导体器件和使用相同杂质的DRAM器件,能够防止掺杂有多晶硅的杂质中的杂质扩散
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