中科院半导体所高性能GAII外延材料研究取得进展

摘要

由中科院半导体研究所承担的知识创新工程重要方向项目——“高性能氮化镓（GAN）外延材料研究”通过了专家鉴定。以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料，是继半导体第一代硅材料和第二代砷化镓材料之后，在近十年迅速发展起来的新型宽带隙半导体材料，是目前全球半导体研究的前沿热点和各国竞相占领的战略高技术制高点。中科院将“新型高频大功率化合物半导体电子器件研究”作为中科院知识创新工程重要方向项目，半导体所材料中心氮化镓课题组承担了其第一课题“高性能GaN外延材料研究”。