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曹馥源; 杨柳; 刘杨; 霍宗亮;
中国科学院微电子研究所;
中国科学院大学;
3D NAND闪存; 错误缓解; 干扰补偿; 数据保留; 数据恢复; 电荷泄露补偿; 实验验证;
机译:错误:'横向电荷迁移在3D充电捕获NAND闪存中引起异常读取干扰NAND闪存'[应用。物理。快递13,054002(2020)]
机译:3D-TLC NAND闪存的程序干扰研究与避免避免算法设计
机译:使用非易失性RAM和NAND闪存的SSD的高错误率补偿架构和错误校正代码
机译:在MLC NAND闪存中读取干扰错误:表征,缓解和恢复
机译:基于NAND闪存的固态驱动器的性能和可靠性研究与探索。
机译:基于干扰效应直接补偿的改进时间同步算法
机译:读取mLC NaND闪存中的干扰错误:表征,缓解和恢复
机译:评估3D NaND闪存的辐射敏感性。
机译:在总电离剂量效应下16nm MLC NAND闪存的错误表征和缓解
机译:在总电离剂量效应下16 nm MLC NAND闪存的错误表征和缓解
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