三模冗余与门尺寸调整在不同工艺中的加固特征比较

摘要

探讨了工艺差异对组合电路软错误评估的影响,研究了工艺差异对通用高效率三模冗余(general efficiency triple modular redundancy,GE-TMR)与门尺寸调整(gate-sizing,GS)加固方法的加固特征表现的影响。将GE-TMR和GS加固方法应用于28 nm工艺和65 nm工艺的组合电路,详细分析和比较了2种加固方法在软错误率、面积和延时3个指标的特征表现。研究结果表明:表决单元的面积和软错误率是制约GE-TMR加固方法加固效果的关键因素;在不考虑表决单元面积的前提下,28 nm工艺电路中,采用GE-TMR加固方法在面积代价大于1.5时,软错误优化能力强于GS加固方法,而在65 nm工艺电路中,该面积代价阈值是1;无论何种工艺,GS加固方法在电路延时表现上都优于GE-TMR加固方法。