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一种封装后释放的准LIGA加工工艺研究

     

摘要

研究了一种准LIGA加工工艺.该工艺利用无氰电铸制作金结构层,采用PECVD制作的无定形硅作为牺牲层,利用二氟化氙(XeF2)干法腐蚀对材料选择性好的特点,采用先部分封装然后腐蚀牺牲层释放结构的工艺流程,避免了封装工艺对可动敏感结构造成的破坏.研究了无氰电铸结构中的应力梯度,发现应力梯度存在随时间缓慢释放的现象,利用热退火消除了结构中的应力梯度.同时还对厚胶光刻、类特氟隆防粘附层制备等关键工艺作了探讨.

著录项

  • 来源
    《微细加工技术》|2008年第3期|40-45|共6页
  • 作者单位

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200233;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200233;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200233;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200233;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200233;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体器件制造工艺及设备;
  • 关键词

    微机电系统; 准LIGA; 微电铸;

  • 入库时间 2023-07-26 00:15:43

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