氧化物墙隔离E,B,C的双极高速晶体管制造工艺

摘要

本文介绍了一咱ＩＣ中使用的双极高速晶体管制造工艺，该工艺制造的晶体管的Ｅ、Ｂ、Ｃ均由氧化物墙隔离，消除了ｐｎ结的侧壁结，使双极晶体管的两个ｐｎ结基本上成为平面结，提高晶体管的ｆＴ。本文介绍了该工艺的工艺流程。分析了该工艺结构晶体管的特点，介绍了关键工艺步骤的工艺过程及工艺参数。并给出该工艺制的晶体管的电参数及该工艺的应用前景。