高频放电等离子体引发碳化硅表面接枝聚合甲基丙烯酸甲酯

韦刚; 钟少锋; 孟月东; 舒兴胜

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高频放电等离子体引发碳化硅表面接枝聚合甲基丙烯酸甲酯

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高频放电氮气等离子体表面处理纳米碳化硅粉体,进而在碳化硅表面上引发甲基丙烯酸甲酯单体接枝聚合,在纳米碳化硅表面形成一层保护膜.红外(FTIR),X射线光电子能谱(XPS)以及热失重分析(TGA)测试表明该聚合膜是通过化学键连接在碳化硅表面的,X射线衍射光谱(XRD)表明经等离子体处理改性的碳化硅粉体只是其表面性质发生了改变,其晶体结构并没有发生任何变化.

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来源
《材料科学与工艺》 |2009年第1期|105-109|共5页
作者
韦刚; 钟少锋; 孟月东; 舒兴胜;
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作者单位

中科院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;

中科院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;

中科院光电研究院,北京,100010;

中科院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;

中科院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;

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正文语种 chi
中图分类高频放电;等离子体物理的应用;聚合反应、缩聚反应;
关键词
等离子体; 接枝聚合; 纳米碳化硅; 聚甲基丙烯酸甲酯;

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