退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
张溪文; 杨德仁;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
3d过渡族金属; 内吸杂; 氧沉淀; 硅; IC; 扩散;
机译:硅中3d过渡金属杂质电活性的新结果
机译:硅中金3d过渡金属杂质对的电子性质和超精细参数
机译:原子,分子和固态系统的能量和波函数性质:氢离子以及锂,氖和磷原子;三氟化硼-氨分子配合物和甲基衍生物;硅中的钒,铬和锰离子以及中性锰过渡金属杂质
机译:勘误表:3d过渡金属掺杂硅中的量子异常霍尔效应和可调谐拓扑状态
机译:晶体硅中过渡金属杂质的沉淀机理研究
机译:化合物半导体中3d过渡金属杂质的磁共振研究
机译:使用分布在硅(TSV)中的过渡孔将内存控制器放置在三维(3D)整体方案(IC)(3DIC)中
机译:方法 u0433 u0435 u0442 u0442 u0435 u0440 u0438 u0440 u043e u0432 u0430 u043d u0438 u044f硅板中的金属杂质
机译:以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式,以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。