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孙绍琦; 王景芹; 朱艳彩; 张广智; 包志舟;
河北工业大学 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室 天津 300130;
上海良信电器有限公司 上海 200137;
浙江人民电器有限公司 温州 325604;
触头材料; 镧-钨共掺杂; 第一性原理; 导电性;
机译:从第一性原理分析SnO2的结构,相变,弹性
机译:Nb和Ta层掺杂对LaAlO3 / SrTiO3异质结构界面能和电子性能的影响:第一性原理分析
机译:La_3NbO_7中质子扩散率的第一性原理分析
机译:La或In掺杂的SnO2的电子结构和光学性质:第一性原理计算
机译:随着风速的增加,储备余量的减少:定量的第一性原理分析。
机译:II型SiGe合金包合物振动特性的第一性原理分析
机译:共掺杂LaFeasO的超导电性
机译:在Laa10(sub 3)和sOs substrates上使用共掺杂YBCO标准金属层的高T(sub c)sNs弱链路
机译:在sno2纳米结构和纳米结构共掺杂过渡金属(如钴,锰和铁)的三掺杂物中,将铁磁镁,铁磁和半金属矿一体化的概念。
机译:在镓和锰与氧化锌共掺杂的情况下,具有出色导电性的氧化锌基导体
机译:根据X射线荧光原理分析液体样品的方法和设备(通过Google Translate进行机器翻译,不具有法律约束力)
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