拓扑绝缘体Bi2Se3单晶体的研究进展

吕莉; 张敏; 杨立芹; 羊新胜; 赵勇

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拓扑绝缘体Bi2Se3单晶体的研究进展

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拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力.阐述了拓扑绝缘体Bi2 Se3单晶的制备方法、输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展；总结了各种化学掺杂方法对Bi2 Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2 Se3的研究发展方向.

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来源
《材料导报》|2013年第11期|7-12|共6页
作者
吕莉; 张敏; 杨立芹; 羊新胜; 赵勇;
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作者单位

西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;

西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;

西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;

西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;

西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
拓扑绝缘体; 晶体生长; Bi2Se3;

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