DC—PCVD装置中阴阳极上Si3N4薄膜沉积模型

摘要

使用直流等离子体化学气相沉积（ＤＣ－ＰＣＶＤ）装置，控制合适的工艺参数，可对置于其阴阳极上的试样沉积出以Ｓｉ３Ｎ４为主要成份的薄膜。提出了这种薄膜的形成机理。