多晶体硅太阳电池的PID效应研究

摘要

随着多晶硅太阳电池的广泛应用，电池组件的电势诱导衰减( PID )现象越来越引起大家的重视。本文主要研究了铸锭电阻率、电池扩散方阻、前表面钝化层折射率对电池组件的PID的影响。研究结果表明：PID现象和铸锭电阻率、电池扩散方阻、前表面钝化层折射率有关。在保证效率的基础上，提高折射率到2.10就可以满足抗PID要求，组件的封装损失与普通电池的组件功率相当，因此具有很好的应用前景。