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垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

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摘要

通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势.

著录项

来源
《激光技术》 |2003年第4期|325-327|共3页
作者
朱文军; 郭霞; 廉鹏; 邹德恕; 高国; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类固体激光器;
关键词
多有源区; 隧道再生; VCSELs; DBR反射率;

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