一维缺陷光子晶体多个禁带中的窄带缺陷模

摘要

用特征矩阵法研究了一维缺陷光子晶体的透射谱.结果发现:在一维缺陷光子晶体的透射谱中的多个禁带内都有窄带缺陷模,窄带缺陷模的波长越大,其宽度越大;当入射角增大后,波长越长的窄带缺陷模的强度变化越小,位置向短波方向移动越多,且S偏振光与P偏振光的窄带缺陷模的分离越大;增大一维缺陷光子晶体中周期性介质的厚度,窄带缺陷模的波长和移动的范围都增大.本研究对一维缺陷光子晶体的窄带缺陷模的选择使用具有重要意义.